BSD シリコンカーバイド (SiC)ショットキーバリアダイオード（SBD）

Bourns BSDシリコンカーバイド (SiC)ショットキーバリアダイオード（SBD）は、より大きなピーク順方向サージ耐量、低い順方向電圧降下、低減された熱抵抗、および低電力損失を必要とする高周波・大電流アプリケーション向けに設計されています。これらの高度なワイドバンドギャップコンポーネントは、DC/DCおよびAC/DCコンバータ、スイッチモード電源、太陽光発電インバータ、モータドライブ、およびその他の整流アプリケーションでの信頼性、スイッチング性能、効率性の向上に貢献します。Bourns BSD SiC SBDには、650V ~ 1200Vの電圧動作が備わっており、5A ~ 10Aの範囲の電流があります。また、これらの高効率デバイスは、EMIを低減する逆回復電流がなく、SiC SBDによってエネルギー損失を大幅に低減できます。