SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7ピンMOSFET

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7ピンMOSFETには、独自のトレンチゲート構造が活用されており、プレーナ型SiC MOSFETを使用してON抵抗を50%および入力容量を35%低減できます。MOSFETには、ドライバと電源ピンを分離する追加のピンが搭載されており、Vgsを低減するインダクタンス・コンポーネントの効果が排除され、さらなる高速スイッチング速度が保証されます。ROHM SemiconductorトレンチタイプMOSFETは、高電圧抵抗、低ON抵抗、高速スイッチング速度、シンプルな駆動、簡単な並列が特徴です。

結果: 8
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1,757在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L 500在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC 978在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L 2,773在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 399在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1,926在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L 855在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 105mO 3rd Gen TO-263-7L 766在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement