MDmesh™ II パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。
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数量 RoHS 製品タイプ
技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,000
複数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,000
複数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 600
複数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4