結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
268在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
215在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
149在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
136在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
228在庫
240取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube