IXFH60N65X2-4 & IXFH80N65X2-4 X2-Class MOSFET

IXYS IXFH60N65X2-4およびIXFH80N65X2-4 X2-ClassディスクリートMOSFETには、低ドレイン-ソース抵抗(38mΩまたは52mΩ)および低ゲート電荷が備わっており、アバランシェ定格の国際規格パッケージに収められています。IXYS IXFH60N65X2-4およびIXFH80N65X2-4 X2-ClassディスクリートMOSFETは、低パッケージインダクタンスおよび650Vドレイン-ソース間絶縁破壊電圧も特徴です。代表的なアプリケーションには、スイッチモード電源と共振モードのDC/DCコンバータなどがあります。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L 509在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 300
複数: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube