M2P45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2P45M12W2-1LA
Price: 10137 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-M2P45M12W2-1LA

メーカ番号：

M2P45M12W2-1LA

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFETモジュール Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
取り付け様式:	Press Fit
チャンネル数:	6 Channel
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	60.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	1200 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	- 10 V, 22 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
高さ:	5.7 mm
長さ:	44 mm
製品:	Power Modules
製品タイプ:	MOSFET Modules
認証:	AQG 324
工場パックの数量:	11
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
幅:	27.4 mm
単位重量:	13 g

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュール

STマイクロエレクトロニクス（STMicroelectronics）M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュールには、統合NTCが搭載された6パックトポロジが備わっており、ハイブリッドと電気自動車のオンボード充電器(OBC) のDC/DCコンバータ段を対象としています。パワーモジュールには、6基の第2世代シリコンカーバイドパワーMOSFETが統合されています。このチップ技術によって、STマイクロエレクトロニクス（STMicroelectronics）M2P45M12W2-1LAはエネルギー損失を最小限に抑え、高スイッチング周波数モードでの動作を可能にします。このモジュールを使用するとユーザーは、非常に高い電力密度と高効率要件で複雑なトポロジを作成できます。