NxHL080N120SC1 NチャンネルSiC MOSFET

onsemi NxHL080N120SC1 NチャンネルSiC MOSFETは、優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現している1200V、80Ω MOSFETです。これらのMOSFETは、オン抵抗が低く抑えられており、低容量と低ゲート電荷が保証されるコンパクトなチップサイズになっています。NxHL080N120SC1 MOSFETは、高効率、高速動作周波数、高速スイッチング、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズの縮小が特徴です。これらのMOSFETは、TO247-3L/TO247-3LDパッケージになっています。NVHL080N120SC1およびNVHL080N120SC1A MOSFETは、AEC-Q101認証に準じた車載グレードの認定を取得しています。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1工場在庫あり
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC