LMG3612REQR

Name: Texas Instruments LMG3612REQR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3612REQR
Price: 1456 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

595-LMG3612REQR

メーカ番号：

LMG3612REQR

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

ゲートドライバ SINGLE-CHANNEL 650-V 120-MOHM GAN FET

データシート:

LMG3612REQR データシート

ECADモデル:

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	¥796.8	¥79,680
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	¥649.6	¥1,299,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
REACH - SVHC:
製品:	Power Switch ICs
タイプ:	Driver
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VQFN-38
出力数:	1 Output
出力電流:	23.34 A
供給電圧 - 最小:	10 V
供給電圧 - 最大:	26 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	LMG3612
ブランド:	Texas Instruments
水分感度:	Yes
製品タイプ:	Gate Drivers
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3612シングルチャネル、GaN FET

Texas Instruments LMG3612シングルチャネルGaN FETは、スイッチモード電源アプリケーション向けに設計されたドライバを内蔵し、650Vドレイン・ソース電圧と120mΩのドレイン・ソース抵抗を提供します。このICは、 GaN FET、ゲート・ドライバ、および保護機能を8mm x 5.3mm QFNパッケージに内蔵しています。LMG3612 GaN FETは、電力コンバータのスイッチングに必要な時間とエネルギーを削減する低出力容量性充電を特徴としています。このトランジスタの内部ゲート・ドライバは、GaN FETのオン抵抗を最適化するために駆動電圧を調整します。内部ゲート・ドライバは、総ゲート・インダクタンスとGaN FETコモンソース・インダクタンスを低減し、コモンモード過渡耐性(CMTI)を含むスイッチング性能を向上させます。LMG3612 GaN FETは、コンバータの軽負荷効率要件と、55µAの低自己消費電流と高速起動時間によるバーストモード動作に対応しています。