STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 990 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP50N60DM6

メーカ番号：

STP50N60DM6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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データシート:

STP50N60DM6 データシート (PDF)

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	¥516.8	¥51,680
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	36 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	80 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.75 V
Qg - ゲート電荷:	55 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	250 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	2 g

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PCN

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6パワーMOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6パワーMOSFETは、高電圧NチャンネルパワーMOSFETで、dv/dt耐久性が極めて高いことが特徴です。このパワーMOSFETは、ツェナー保護およびアバランシェ試験が100%完了している高速リカバリ・ボディ・ダイオードです。STP50N60DM6パワーMOSFETは、低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗になっており、旧世代に比べて領域のR_DS(on)が低く抑えられています。このMOSFETには、非常に低い回復電荷（Q_rr）、回復時間（t_rr）、領域ののR_DS(on)と最も効果的なスイッチング挙動の1つが組み合わされています。STP50N60DM6 MDmesh DM6パワーMOSFETは、スイッチング・アプリケーションに最適です。