NCV57001DWR2G

Name: onsemi NCV57001DWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001DWR2G
Price: 961 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NCV57001DWR2G

メーカ番号：

NCV57001DWR2G

メーカ：

onsemi

詳細：

ガルバニック絶縁型ゲートドライバ IGBT gate driver

データシート:

NCV57001DWR2G データシート

ECADモデル:

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カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥961.6	¥962
	¥667.2	¥6,672
	¥611.2	¥15,280
	¥484.8	¥48,480
	¥465.6	¥116,400
	¥440	¥220,000
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥396.8	¥396,800
5,000	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:
シリーズ:	NCV57001
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-16
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
Pd - 電力損失:	1.4 W
伝搬遅延 - 最大:	90 ns
上昇時間:	10 ns
下降時間:	15 ns
認証:	AEC-Q100
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
構成:	Inverting, Non-Inverting
最長電源切断遅延時間:	90 ns
最長電源投入遅延時間:	90 ns
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
動作供給電流:	4.8 mA
出力電流:	4 A
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
製品タイプ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大:	5 V
供給電圧 - 最小:	3.3 V

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データシート

NCV57001DWR2G データシート

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

ガルバニック絶縁大電流ゲートドライバ

Onsemi ガルバニック絶縁型の大電流ゲートドライバは、高い過渡電流耐性と電磁波耐性を備えています。NCx5700xは、内部ガルバニック絶縁を備えた大電流シングルチャンネル IGBT ドライバで、ハイパワー・アプリケーションで高いシステム効率性と信頼性を実現するように設計されています。このドライバは、相補入力、オープンドレインFAULT、Ready出力、アクティブミラークランプ、高精度UVLO、DESAT保護、DESAT時のソフトターンオフ、システム設計の利便性を高める個別の高／低 (OUTHとOUTL) ドライバ出力を備えています。NCx5700xは、入力側で5Vと3.3Vの信号に対応し、ドライバ側では負電圧機能を含む広いバイアス電圧範囲に対応します。これらのonsemi デバイスは、>5kV_RMS (UL1577定格) のガルバニック絶縁と>1200Vの_IORM (動作電圧) 機能を提供します。NCx5700xシリーズは、入力と出力間の8mm沿面距離が保証される広いボディSOIC-16パッケージで提供され、強化された安全絶縁要件を満たします。

NCV57001絶縁高電流IGBTゲートドライバ

onsemi NCV57001絶縁高電流IGBTゲートドライバには、内部ガルバニック絶縁が備わっており、高電力アプリケーションでの高システム効率性と信頼性を目的に設計されています。NCD57001には、相補入力、オープン・ドレインFAULTおよびREADY出力、アクティブ・ミラークランプ、精密なUVLO、DESAT保護、DESATでのソフトターンオフが備わっています。