PSMN071-100NSE NチャンネルASFET

Nexperia PSMN071-100NSE NチャンネルASFETは、リレーの交換、突入管理、バッテリ管理アプリケーションを対象に設計されています。このASFETには、優れたリニアモード動作を目的として強化された安全動作領域(SOA) が搭載されています。PSMN071-100NSE NチャンネルASFETは、低ドレイン－ソース間on状態抵抗を実現しており、I²R導通損失が低く抑えられています。このASFETは、100Vの最高ドレイン－ソース電圧、9.8Aの最大ドレイン電流、31Wの最大総電力損失、175°Cの最高接合部温度を備えています。PSMN071-100NSE NチャンネルASFETには、強化されたSOAが装備されており、コンパクトな2mm x 2mmのDFN2020パッケージに収められています。前述の他にも注目されるアプリケーションには、IEEE802.3atおよび独自のPoEソリューション、WiFi^® ホットスポット、5Gピコセル、CCTVがあります。