VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology. Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes have extreme high radiant intensity, high optical power, high speed, and are molded in clear, untinted plastic packages. The VSLY3850 comes in a T-1 plastic package, and the VSLY5850 also has a parabolic lens.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 波長 放射強度 ビーム角 If - 順電流(Forward Current) Vf - 順電圧(Forward Voltage) 電力定格 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Vishay Semiconductors 赤外線エミッタ 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg. 7,967在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole 850 nm 600 mW/sr 3 deg 100 mA 1.65 V 190 mW - 40 C + 85 C Bulk
Vishay Semiconductors 赤外線エミッタ 850nm, T-1 70mW/sr, +/-18deg. 5,956在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole 850 nm 70 mW/sr 18 deg 100 mA 1.65 V 190 mW - 40 C + 85 C Bulk