SISS7xDN TrenchFET MOSFET

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETには、ThunderFETテクノロジを採用しているTrenchFET^®が活用されており、R_DS、Q_G、Q_SW、Q_OSSのバランスを最適化できます。これらのMOSFETは、100% Rgおよび非圧着誘導スイッチング（UIS）の試験済です。SISS7xDN TrenchFET MOSFETは、一次側スイッチング、同期整流、DC/DCコンバータ、モータ駆動制御、負荷スイッチのアプリケーションに見られます。これらのMOSFETは、PowerPAK 1212-8Sパッケージでご用意があります。