NTBL045N065SC1

onsemi
863-NTBL045N065SC1
NTBL045N065SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,987.2 ¥1,987
¥1,260.8 ¥12,608
¥1,233.6 ¥123,360
¥1,152 ¥1,152,000
完全リール（2000の倍数で注文）
¥992 ¥1,984,000
4,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
PSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
73 A
50 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 16 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 14 ns
シリーズ: NTBL045N065SC1
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 26 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13 ns
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とより高い信頼性を実現しています。これらの650V SiC MOSFETは低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズで、低容量とゲート電荷を保証します。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのメリットがあります。

クラウドパワーマネジメントソリューション

onsemiクラウドパワーマネジメントソリューションは、インフラに不可欠なコンピューティングと接続性を提供します。これらのソリューションは、プロセッサ、メモリバンク、無線基地局にとって重要な電力を供給します。クラウドへの移行が進む中で、効率性と信頼性の重要性はますます高まっています。特にAIサーバーは、最適なパフォーマンスと効率を確保するために信頼性の高い電源を必要としており、AIによるオペレーションの整合性と機能性を維持できるソリューションが不可欠です。onsemiは、AC-DC変換、多相変換、ポイントオブロード電源、ホットスワップ保護など、クラウドインフラのさまざまな電力ニーズに対応する多様なソリューションを提供しています。最先端のテクノロジーや信頼性の高いパフォーマンス、アプリケーションの高度な専門知識を有するonsemiは、基地局、サーバー、データセンターなど、今日のデータ環境における電源供給の理想的なパートナーです。

ヒートポンプ

ヒートポンプは、安全で持続可能な暖房へのグローバルシフトを実現する礎として、低排出電気を利用して信頼性の高い暖かさを提供します。主な機能は暖房ですが、革新的な逆サイクルモデルには冷却機能も備わっています。さらに、廃熱を効率的に回収してその温度を実用レベルまで上昇させることもできるヒートポンプは、省エネという意味でも非常に大きな可能性を秘めています。企業が低炭素の未来を目指すなか、より効率的なパワー半導体に対する需要も高まりを見せています。このゴールに向けて、コスト、フットプリント、効率のバランスをとることは必須です。オンセミ (onsemi)インテリジェントパワーモジュール (IPM) は、ヒートポンプ市場において注目にすべきソリューションとして、コンパクトな設計、高電力密度、高度な制御機能を備えています。

NTBL045N065SC1 33mohm 炭化ケイ素MOSFET

Onsemi NTBL045N065SC1 33mohm 炭化ケイ素MOSFETは、TOLL NTBL045N065SC1パッケージに収納され、高速かつ堅牢に設計されています。このデバイスは、10倍高い絶縁破壊電界強度、および2倍高い電子飽和速度を備えています。MOSFETは、3倍の高エネルギーバンドギャップ、および3倍の高熱伝導率も備えています。すべての  onsemi  SiC MOSFET には、自動車、および産業用アプリケーション向けに特別に設計および認定された、AEC-Q101認定、およびPPAP対応オプションが含まれています。

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