TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

結果: 4
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 動作周波数
動作供給電圧
動作供給電流
ゲイン
タイプ
取り付け様式
パッケージ/ケース
技術
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Qorvo RF 増幅器 2.7-3.5GHz 12W GaN PAE > 52% Gain 31dB
データシート
358在庫
最低： 1
複数： 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 20 V to 32 V 175 mA 31 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN - 40 C + 85 C TGA2975 Waffle
Qorvo RF 増幅器 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5dB
データシート
22在庫
最低： 1
複数： 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 20 V to 32 V 225 mA 30.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Waffle
Qorvo RF 増幅器 2.7-3.5 GHz, 18 W GaN PA
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 500
複数： 500
: 500
2.7 GHz to 3.5 GHz 30.5 dB SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Reel
Qorvo TGA2975-SMTR7
Qorvo RF 増幅器 2.7-3.5 GHz, 12 W GaN PA
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 250
複数： 250
: 250

TGA2975 Reel