IX4351NE 9A低圧側SiC MOSFET & IGBTドライバ

IXYS統合回路IX4351NE低圧側SiC MOSFET & IGBTドライバには、独立した9Aソースおよびシンク出力があり、スイッチング損失を最小限に抑えながらカスタムターンON/ターンOFFのタイミングが可能になります。IX4351NEには、dV/dt耐性の向上と高速ターンONを目的とした選択可能な負のゲート駆動バイアスを実現している内部負の充電レギュレータが備わっています。