NSS12100UW3TCG

onsemi
863-NSS12100UW3TCG
NSS12100UW3TCG

メーカ：

詳細：
バイポーラトランジスタ - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,800

在庫：
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工場リードタイム：
16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥136 ¥136
¥84.8 ¥848
¥55.8 ¥5,580
¥42.9 ¥21,450
¥39 ¥39,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥33 ¥99,000
¥30.6 ¥183,600
¥27.4 ¥246,600
¥27 ¥648,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN3
PNP
Single
1 A
12 V
12 V
5 V
400 mV
1.1 W
200 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS12100UW
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: MY
原産国: MY
製品タイプ: BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 9.300 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541210101
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

Family of Vce(sat) BJT devices feature low-saturation voltage and high-current gain.

e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ

オンセミ（onsemi）e2PowerEdge低V CE（sat）トランジスタは、超低飽和電圧（V CE（sat））および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント（電源管理）です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン（ベータ）によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

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