8 Gbit 半導体

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
Macronix NAND Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC 非在庫リードタイム 53 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
Macronix NAND Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 非在庫リードタイム 53 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Macronix NAND Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 非在庫リードタイム 53 週間
最低: 2,200
複数: 220
Macronix NAND Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 非在庫リードタイム 53 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Macronix NAND Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 非在庫リードタイム 53 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Macronix NAND Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 非在庫リードタイム 53 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,100
複数: 2,100

GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 960
複数: 960

GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,100
複数: 2,100

GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 960
複数: 960

Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1,900
複数: 1,900

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 44 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 44 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT リードタイム 34 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 136
複数: 136