8 Gbit 半導体

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.5V DDR3 A-Temp 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 136
複数: 136