GaN 半導体

結果: 768
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
Power Integrations AC/DCコンバータ 90 W (85-265 VAC) 1,980在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt 60在庫
最低: 10
複数: 10

Power Integrations AC/DCコンバータ 65 W (85-265 VAC) 4,271在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Power Integrations AC/DCコンバータ 45 W (85-265 VAC) 1,933在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi AC/DCコンバータ ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,322在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Texas Instruments ゲートドライバ 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ 1,400在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Texas Instruments ゲートドライバ 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 2,000在庫
最低: 1
複数: 1

Texas Instruments ゲートドライバ 650V 270mohm GaN FET with integrated dri 2,000在庫
最低: 1
複数: 1

Texas Instruments ゲートドライバ 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR 110在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

Texas Instruments ゲートドライバ 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR 140在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

MACOM RF 増幅器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz 13在庫
最低: 1
複数: 1

Qorvo GaN FET DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr 1在庫
最低: 1
複数: 1

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 355在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1,237在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,300

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1,305在庫
最低: 1
複数: 1

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 316在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,800

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 684在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Analog Devices RF 増幅器 1-22GHz 15W PA
9在庫
最低: 1
複数: 1

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,926在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 1,903在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 3,633在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Infineon Technologies ゲートドライバ 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,352在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Infineon Technologies ゲートドライバ 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,391在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Infineon Technologies ゲートドライバ 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,100在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000