SCTH60N120G2-7

STMicroelectronics
511-SCTH60N120G2-7
SCTH60N120G2-7

メーカ:

詳細:
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
60 A
52 mOhms
3 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
390 W
Enhancement
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 14 ns
パッケージ化: Reel
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 15 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 16 ns
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854129000
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8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
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ECCN:
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