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IQFH61N06NM5ATMA1

Name: Infineon IQFH61N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQFH61N06NM5ATMA
Price: 1156 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IQFH61N06NM5ATMA

メーカ番号：

IQFH61N06NM5ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

ライフサイクル:

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データシート:

IQFH61N06NM5ATMA1 データシート (PDF)

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	¥856	¥8,560
	¥692.8	¥69,280
	¥616	¥308,000
	¥596.8	¥596,800
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥505.6	¥1,516,800

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSON-12
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	510 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.8 V
Qg - ゲート電荷:	190 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	300 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	27 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	160 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	78 ns
シリーズ:	OptiMOS 5
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	60 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	36 ns
別の部品番号:	IQFH61N06NM5 SP005634650

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データシート

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JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 パワーMOSFET

Infineon OptiMOS™ 5パワーMOSFETは、システムコストを削減すると同時に、改善されたシステム効率の要件を満たすように設計されました。これらのデバイスは、代替デバイスよりも低いR_DS(on)および性能指数（R_DS(on)x Q_g）を特徴としています。新しいシリコン技術を使用して設計されており、エネルギー効率と電力密度の要件を満たし、かつ超過するように最適化されています。これらのMOSFETの典型的な用途は、コンピューティング業界でのサーバー、データコム、クライアントアプリケーションなどです。これらは、スイッチモード電源の同期整流 (SMPS) 、およびモーター制御、ソーラーマイクロインバーター、高速スイッチングDC/DCコンバーターアプリケーションでも使用できます。