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747-IXFT320N10T2 MOSFET

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結果: 2

適用されたフィルタ:

トランジスタ極性

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

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選択	画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	RoHS	ECADモデル	技術	取り付け様式	パッケージ/ケース	トランジスタ極性	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	トレードネーム	パッケージ化
	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXFT320N10T2 IXYS 1: ¥4,335.2 945在庫 3,510取寄中	メーカ部品番号 IXFT320N10T2 Mouser 部品番号 747-IXFT320N10T2	IXYS	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXYS gen2 trench gate mosfets についての詳細を表示	データシート	945在庫 3,510取寄中注文の出荷日メーカ番号： IXFT320N10T2 在庫： 945 すぐに出荷可能取寄中: 60 予想2026/12/14 1,650 予想2026/12/23 1,800 予想2027/01/25 工場リードタイム： 22 週間	¥4,335.2 ¥3,056.2 ¥2,813.7 ¥2,785.5 見積り見積り	最低： 1 複数： 1			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	320 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	430 nC	- 55 C	+ 175 C	1 kW	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH IXFT320N10T2-TRL IXYS 400: ¥2,757.3 非在庫リードタイム 22 週間	メーカ部品番号 IXFT320N10T2-TRL Mouser 部品番号 747-IXFT320N10T2-TRL	IXYS	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH IXYS littelfuse trencht2 mosfets についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 22 週間	リール ¥2,757.3 見積り見積り	最低： 400 複数： 400 : 400			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)		1 Channel	200 V	180 A	7.5 mOhms	20 V	2 V	154 nC			735 W	Enhancement	TrenchT2	Reel

747-IXFT320N10T2 MOSFET

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