RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

メーカ：

詳細：
IGBT POWER TRS1

ライフサイクル:
販売制限:
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 4

在庫：
4 すぐに出荷可能
4を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,382.4 ¥2,382
¥2,313.6 ¥23,136
¥1,659.2 ¥49,776
¥1,382.4 ¥82,944
¥1,187.2 ¥142,464
¥1,160 ¥591,600

製品属性 属性値 属性の選択
Renesas Electronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
ブランド: Renesas Electronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 20 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 1 uA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: IGBTs
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RJP65T43DPM高速スイッチングIGBT

Renesas Electronics RJP65T43DPM高速スイッチングIGBTは、650V、20A IGBTで、動作周波数範囲は20kHz ~ 100kHzです。このIGBTには、コレクタ－エミッタ間飽和電圧が低く抑えられており、TO-3PFMパッケージに収められています。RJP65T43DPM IGBTは、150Aコレクタピーク電流、68.8Wコレクタ散逸、175 ° C接合部温度が特徴です。このIGBTは、-55 ° C ~ 150 ° Cの温度範囲に格納されており、代表的なアプリケーションには力率補正(PFC) があります。

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