|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,737.6
-
80在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMDQ75R040M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
80在庫
|
|
|
¥1,737.6
|
|
|
¥1,227.4
|
|
|
¥1,023.6
|
|
|
¥911.2
|
|
|
¥852.5
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
- NVH4L070N120M3S-IE
- onsemi
-
1:
¥3,064.4
-
450在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
863-H4L070N120M3S-IE
新製品
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
|
|
450在庫
|
|
|
¥3,064.4
|
|
|
¥2,104.3
|
|
|
¥1,817.5
|
|
|
¥1,620.2
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- IMZC120R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥7,383.9
-
300在庫
-
480予想2026/07/09
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R007M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
|
|
300在庫
480予想2026/07/09
|
|
|
¥7,383.9
|
|
|
¥6,298.3
|
|
|
¥5,196.4
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U07
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3,070.9
-
1,665在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R022M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
|
|
1,665在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
最大: 50
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T020A120H
- SemiQ
-
1:
¥2,050.5
-
294在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
148-GP3T020A120H
新製品
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
294在庫
|
|
|
¥2,050.5
|
|
|
¥1,230.7
|
|
|
¥1,229
|
|
|
¥1,059.5
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,611.3
-
1,843在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMCQ120R026M2HXT
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,843在庫
|
|
|
¥2,611.3
|
|
|
¥1,988.6
|
|
|
¥1,656.1
|
|
|
¥1,476.8
|
|
|
¥1,380.6
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,013.1
-
255在庫
-
750予想2026/07/09
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMCQ120R040M2HXT
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
255在庫
750予想2026/07/09
|
|
|
¥2,013.1
|
|
|
¥1,455.6
|
|
|
¥1,212.7
|
|
|
¥1,080.7
|
|
|
¥1,010.6
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,709.9
-
375在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMCQ120R053M2HXT
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
375在庫
|
|
|
¥1,709.9
|
|
|
¥1,167.1
|
|
|
¥963.3
|
|
|
¥857.4
|
|
|
¥802
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,506.1
-
869在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMCQ120R078M2HXT
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
869在庫
|
|
|
¥1,506.1
|
|
|
¥1,059.5
|
|
|
¥857.4
|
|
|
¥761.2
|
|
|
¥674.8
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,815.8
-
1,659在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMLT65R033M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
1,659在庫
|
|
|
¥1,815.8
|
|
|
¥1,282.8
|
|
|
¥1,069.3
|
|
|
¥951.9
|
|
|
¥891.6
|
|
|
¥891.6
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,063.6
-
1,001在庫
-
2,000予想2027/01/28
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMT65R010M2HXUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,001在庫
2,000予想2027/01/28
|
|
|
¥4,063.6
|
|
|
¥3,033.4
|
|
|
¥2,624.3
|
|
|
¥2,484.1
|
|
|
¥2,321.1
|
|
|
¥2,321.1
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMW65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,166.3
-
276在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMW65R010M2HXKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
276在庫
|
|
|
¥4,166.3
|
|
|
¥3,335
|
|
|
¥2,883.5
|
|
|
¥2,730.3
|
|
|
見積り
|
|
|
見積り
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,994.3
-
277在庫
-
720取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R012M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
|
|
277在庫
720取寄中
取寄中:
480 予想2026/07/09
240 予想2027/04/15
|
|
|
¥4,994.3
|
|
|
¥3,998.4
|
|
|
¥3,457.2
|
|
|
¥3,274.7
|
|
|
見積り
|
|
|
見積り
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3,742.5
-
396在庫
-
480取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R017M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
|
|
396在庫
480取寄中
|
|
最低: 1
複数: 1
最大: 20
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,759.6
-
483在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R026M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
|
|
483在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
最大: 20
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,246.1
-
826在庫
-
240予想2026/07/09
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R034M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
|
|
826在庫
240予想2026/07/09
|
|
最低: 1
複数: 1
最大: 70
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,796.3
-
776在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R053M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
|
|
776在庫
|
|
|
¥1,796.3
|
|
|
¥1,269.8
|
|
|
¥1,057.9
|
|
|
¥942.1
|
|
|
¥881.8
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA40N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
¥1,586
-
790在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
747-IXSA40N120L2-7TR
新製品
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
790在庫
|
|
|
¥1,586
|
|
|
¥1,087.2
|
|
|
¥821.5
|
|
|
¥777.5
|
|
|
¥777.5
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA80N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
¥2,334.2
-
760在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
747-IXSA80N120L2-7TR
新製品
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
760在庫
|
|
|
¥2,334.2
|
|
|
¥1,634.9
|
|
|
¥1,359.4
|
|
|
¥1,287.7
|
|
|
¥1,287.7
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH40N120L2KHV
- IXYS
-
1:
¥1,613.7
-
394在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
747-IXSH40N120L2KHV
新製品
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
394在庫
|
|
|
¥1,613.7
|
|
|
¥1,084
|
|
|
¥800.3
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH80N120L2KHV
- IXYS
-
1:
¥2,423.8
-
392在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
747-IXSH80N120L2KHV
新製品
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
392在庫
|
|
|
¥2,423.8
|
|
|
¥1,700.1
|
|
|
¥1,336.6
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T040A120H
- SemiQ
-
1:
¥1,367.6
-
120在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
148-GP3T040A120H
新製品
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
120在庫
|
|
|
¥1,367.6
|
|
|
¥929.1
|
|
|
¥790.6
|
|
|
¥622.7
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T080A120H
- SemiQ
-
1:
¥1,000.8
-
97在庫
-
60取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
148-GP3T080A120H
新製品
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
97在庫
60取寄中
取寄中:
30 予想2026/06/16
30 予想2026/06/24
|
|
|
¥1,000.8
|
|
|
¥668.3
|
|
|
¥520
|
|
|
¥410.8
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMW65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,391.2
-
71在庫
-
480予想2026/06/29
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMW65R026M2HXKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
71在庫
480予想2026/06/29
|
|
|
¥2,391.2
|
|
|
¥1,820.7
|
|
|
¥1,517.5
|
|
|
¥1,351.3
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMW65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,029.4
-
237在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMW65R033M2HXKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
237在庫
|
|
|
¥2,029.4
|
|
|
¥1,512.6
|
|
|
¥1,260
|
|
|
¥1,123.1
|
|
|
¥1,049.7
|
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最低: 1
複数: 1
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SiC MOSFETS
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SiC
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Through Hole
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TO-247-3
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