2 Gbit 組み込みソリューション

組み込みソリューションのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB013
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 1,600
複数: 1,600
: 1,600

Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 180
複数: 180

Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 1,600
複数: 1,600
: 1,600

Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 360
複数: 360

Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 180
複数: 180

Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV23
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 1,600
複数: 1,600
: 1,600

Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 360
複数: 360

Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
Infineon Technologies NORフラッシュ 2G 3V 110ns Parallel NORフラッシュ 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 1
複数: 1

Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,420
複数: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 2,420
複数: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,420
複数: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 2,420
複数: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,420
複数: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,090
複数: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,090
複数: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 2,090
複数: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,090
複数: 2,090

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500