R1RW0408DGE-2PI#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0408DGE2PIB1
R1RW0408DGE-2PI#B1

メーカ：

詳細：
SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS -40TO85C

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
データシート:
ECADモデル:
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在庫: 101

在庫：
101 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,380.8 ¥2,381
¥2,379.2 ¥52,342
¥1,960 ¥517,440
¥1,926.4 ¥974,758
¥1,886.4 ¥1,909,037
2,508 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Renesas Electronics
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
12 ns
3.6 V
3 V
100 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
ブランド: Renesas Electronics
組立国: TW
拡散国: JP
原産国: TW
メモリ タイプ: SRAM
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
工場パックの数量: 22
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
タイプ: High Speed
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

EOL

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CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

ルネサス エレクトロニクス (Renesas Electronics)非同期SRAMは、高性能・信頼性のCMOS技術に基づいています。技術と革新的な回路設計技術によって、高速非同期SRAMメモリのニーズを対象とした費用対効果の高いソリューションを提供します。完全静的非同期回路には、動作のためのクロックや更新は不要です。Renesasは、業界標準パッケージオプションを使用してRoHS 6/6に準拠した（グリーン）パッケージに収められた非同期SRAMを供給します。

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