Everspin Technologies メモリ IC

メモリ ICのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 480
複数: 240

MRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) リードタイム 27 週間
最低: 1
複数: 1

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 480
複数: 240

MRAM SMD/SMT BGA-48 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 216
複数: 108

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 216
複数: 108

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 32 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,140
複数: 570

MRAM SMD/SMT DFN-8 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
リール: 4,000

MRAM SMD/SMT DFN-8 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
リール: 4,000

MRAM SMD/SMT DFN-8 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
リール: 4,000

MRAM SMD/SMT DFN-8 256 kbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,140
複数: 570

MRAM SMD/SMT DFN-8 256 kbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,140
複数: 570

MRAM SMD/SMT DFN-8 256 kbit SPI