S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are VIO VCC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI programs or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single-bit serial input and output. Optional two-bit (Dual I/O or DIO) and four-bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer addresses. 

結果: 127
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
シリーズ
メモリ サイズ
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
アクティブ電流 - 最大読み取り値
インタフェース タイプ
最高クロック周波数
編成
データ バス幅
タイミング タイプ
最低動作温度
最高動作温度
認証
パッケージ化
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,450
複数： 1,450
リール: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,450
複数： 1,450
リール: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 3,380
複数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 1,690
複数： 1,690

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512 Mb FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 3,380
複数： 3,380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512 Mb FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512 Mb FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 3,380
複数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 3,380
複数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512 Mb FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 676
複数： 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512 Mb FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512 Mb FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 2,400
複数： 2,400

SMD/SMT S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512 Mb FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,450
複数： 1,450
リール: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 2,400
複数： 2,400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ IC 512M FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,450
複数： 1,450
リール: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,450
複数： 1,450
リール: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,450
複数： 1,450
リール: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NORフラッシュ Nor
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,450
複数： 1,450
リール: 1,450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 480
複数： 480

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NORフラッシュ STD SPI
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NORフラッシュ 512-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
データシート
非在庫リードタイム 10 週間
最低： 3,380
複数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray