Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

結果: 33
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ
編成
アクセス時間
インタフェース タイプ
供給電圧 - 最大
供給電圧 - 最小
供給電流 - 最大
最低動作温度
最高動作温度
取り付け様式
パッケージ/ケース
パッケージ化
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
データシート
リードタイム 16 週間
最低： 1
複数： 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-44 Reel