2 Gbit メモリ IC

メモリ ICのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 190
複数: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 190
複数: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit

ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI

ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT 2 Gbit SPI
ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI NORフラッシュ 2Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, new die 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit DTR/Quad SPI, QPI, SPI