8 bit DRAM

結果: 352
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR81280B Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR81280B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 242
複数: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 242
複数: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 242
複数: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 136
複数: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 242
複数: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 256 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR82560C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 242
複数: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 在庫なし
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel