ISSI DRAM

結果: 1,807
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 108
複数: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1
最大: 200

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16160K Reel
ISSI DRAM 32M, 3.3V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500
SDRAM Mobile 32 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 2 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16200D Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 5.4 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Reel