ISSI DRAM

結果: 1,605
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160H Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 在庫なし
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 32 bit 333 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R32160D Reel
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 非在庫リードタイム 34 週間
最低: 136
複数: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 300
複数: 300

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 300
複数: 300

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR32160C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 240
複数: 240

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR32160C Tray
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
2 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 1
複数: 1
4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 240
複数: 240

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32800K Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel