+ 125 C DRAM

結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
ISSI DRAM 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L 9在庫
190予想2026/08/17
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C IS46TR16256BL Tray
Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 UT 325在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 100

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 13.75 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 UT 39在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 100

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 13.91 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 190
複数: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED