128 Mbit DRAM

結果: 148
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Alliance Memory AS4C4M32SA-6TIN
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128MB, 4M X 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 166 MHZ INDUSTRIAL TEMP - Tray
2,520取寄中
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
190取寄中
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32400F Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
1,500予想2026/10/16
最低: 1
複数: 1
: 1,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
2,292取寄中
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
3,479取寄中
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
1,216取寄中
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
972予想2027/07/19
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
2,496予想2026/10/22
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
2,500取寄中
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin TSOPII, 166 Mhz, Industrial temp - Tray
216予想2026/08/14
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI IS66WVH16M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
841取寄中
最低: 1
複数: 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
240予想2026/08/10
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108取寄中
最低: 1
複数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 4 bit 144 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A Die, T&R 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C8M16D1A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C8M16D1A Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 128 Mbit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI DRAM M-SDRAM,128M,3.3V 166MHz,4Mx32, IT 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel