MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 653
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ) 296在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 75在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 189在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 28在庫
216予想2026/10/14
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 58在庫
最低: 1
複数: 1

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz 70在庫
最低: 1
複数: 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T 67在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBDH13IS2T 76在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 16在庫
580予想2026/08/19
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 19在庫
580予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 93在庫
最低: 1
複数: 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 113在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 121在庫
270予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 3.3V 32Mb MRAM(磁気抵抗メモリ) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 5在庫
720予想2026/12/16
最低: 1
複数: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 76在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 24在庫
最低: 1
複数: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
100予想2026/06/30
最低: 1
複数: 1

BGA-24 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
580予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
1,140予想2026/12/02
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
3,372取寄中
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
5,000取寄中
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(磁気抵抗メモリ)
1,905取寄中
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
268予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
1,620予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
1,978予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel