8 bit MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 246
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 480
複数： 240

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel