8 bit MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 246
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 2,686在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 1,446在庫
2,280予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 2,448在庫
4,000予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 330在庫
1,140予想2026/11/12
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 266在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 270在庫
810予想2026/06/17
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 117在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 770在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 335在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI 5在庫
3,420取寄中
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 24在庫
最低: 1
複数: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
1,133予想2026/11/05
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ)
10,402取寄中
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
675予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
470予想2026/05/27
最低: 1
複数: 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
264予想2026/11/11
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 非在庫リードタイム 4 週間
最低: 1,365
複数: 455

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 非在庫リードタイム 4 週間
最低: 1,200
複数: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 非在庫リードタイム 4 週間
最低: 1,365
複数: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 在庫なし
最低: 1,200
複数: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 在庫なし
最低: 1,365
複数: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C 在庫なし
最低: 1,200
複数: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray