8 bit MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 246
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche SPI P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 在庫なし
最低: 1,200
複数: 300

SOIC-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3016101 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
WSON-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3016101 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche SPI P-SRAM 16Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 在庫なし
最低: 1,365
複数: 455

WSON-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3016101 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 在庫なし
最低: 1
複数: 1

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 在庫なし
最低: 1,365
複数: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 在庫なし
最低: 1,200
複数: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 在庫なし
最低: 1,365
複数: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 在庫なし
最低: 1,200
複数: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 to +85C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 to +85C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 960
複数: 480

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel