|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
- EM016LXQBB313ES2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥4,518.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBB313ES2R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBB313IS2R
- EM016LXQBB313IS1R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥3,815.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBB313IS1R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBB313IS2R
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBB313IS2T
- EM016LXQBB313IS1T
- Everspin Technologies
-
960:
¥3,998.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBB313IS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBB313IS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
- EM016LXQBB313IS2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥3,815.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBB313IS2R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13CS2R
- EM016LXQBDH13CS1R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,603.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13CS1R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13CS2R
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13CS2T
- EM016LXQBDH13CS1T
- Everspin Technologies
-
910:
¥3,732.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13CS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13CS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 910
複数： 455
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM016LXQBDH13CS2R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,603.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13CS2R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13ES2R
- EM016LXQBDH13ES1R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥4,567.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13ES1R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13ES2R
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13ES2T
- EM016LXQBDH13ES1T
- Everspin Technologies
-
910:
¥4,899.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13ES1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13ES2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 910
複数： 455
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM016LXQBDH13ES2R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥4,567.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13ES2R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13IS2R
- EM016LXQBDH13IS1R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,859.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13IS1R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13IS2R
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13IS2T
- EM016LXQBDH13IS1T
- Everspin Technologies
-
910:
¥4,309.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13IS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13IS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 910
複数： 455
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM016LXQBDH13IS2R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,859.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH13IS2R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BCMA35R
- Everspin Technologies
-
2,500:
¥8,490.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BCMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,500
複数： 2,500
:
2,500
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR4A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BCYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥8,132.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BCYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR4A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BMA35
- Everspin Technologies
-
480:
¥8,337.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 480
複数： 240
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,500:
¥7,354.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,500
複数： 2,500
:
2,500
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BUYS45R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥10,621.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BUYS45R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
45 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR4A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥5,794.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A16BCMA35R
- Everspin Technologies
-
2,500:
¥8,541.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A16BCMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,500
複数： 2,500
:
2,500
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR4A16B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A16BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,500:
¥6,508.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A16BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,500
複数： 2,500
:
2,500
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A16B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A16BYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥8,154.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A16BYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
|
¥8,154.9
|
|
|
¥7,538.8
|
|
|
¥7,295.9
|
|
|
¥7,113.3
|
|
|
¥6,914.5
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
TSOP-II-54
|
Parallel
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A16B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A16BYS35R
- Everspin Technologies
-
1,000:
¥6,438.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A16BYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,000
複数： 1,000
:
1,000
|
|
|
TSOP-II-54
|
Parallel
|
16 Mbit
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1 M x 16
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16 bit
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35 ns
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3 V
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3.6 V
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60 mA, 152 mA
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0 C
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+ 70 C
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MR4A16B
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Reel
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日本
