Reel MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 329
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 to +85C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 to +85C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 - +105C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel