Bulk SRAM

結果: 9
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 最高クロック周波数 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 419在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 200

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 353在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 101

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 96在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 200

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 480
複数: 480

4 Mbit 256 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 480
複数: 480

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 135
複数: 135

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Bulk
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 72
複数: 72

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Bulk
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 在庫なし
最低: 1
複数: 1
16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI IS61QDB41M18A-250M3LI
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

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