個別半導体のタイプ
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
ROHM Semiconductor 750V NチャネルSiC MOSFET
10/17/2025
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
ROHM Semiconductor RNxMFH 車載グレードPINダイオード
08/21/2025
08/21/2025
車載グレードダイオードで、超小型モールドパッケージになっており、高周波数スイッチングに適しています。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超高速リカバリダイオード
08/21/2025
08/21/2025
低 VF 、かつ低スイッチング損失が特長のシリコンエピタキシャルプレーナ型超高速リカバリダイオードです。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-30V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
AEC-Q101認定を取得済で、60V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V Pチャンネル小信号MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
ドレイン－ソース電圧-40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±4,0A (ID) 定格MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
100V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
40V VDSS 、および±12A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-60V VDSS 、および±36A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
60V VDSS 、および±35A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、AEC-Q101認定、40V VDSS 、±40A ID定格車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN, 160V 1.5A, パワートランジスタ
08/06/2025
08/06/2025
このパワートランジスタはVCE(sat) が低く、低周波増幅用途に最適です。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 Pチャネル, -40V -40A, パワーMOSFET
08/06/2025
08/06/2025
このMOSFETは、車載グレードパワーMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP, 160V 1.5A, パワートランジスタ
08/06/2025
08/06/2025
このパワートランジスタはVCE(sat) が低く、低周波増幅用途に最適です。
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Bourns CDSOT23-SM712-Q表面実装TVSダイオード
05/12/2026
05/12/2026
データポート向けにIEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、およびIEC 61000-4-5に準拠した保護機能を提供します。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime 車載用 CoolSiC™ パワーモジュール
05/06/2026
05/06/2026
xEVアプリケーションでハイパフォーマンスを発揮するように設計されています。
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVSダイオード
05/04/2026
05/04/2026
10/1000µs 波形使用時の 5000W ピークパルス電力および 6.5W の電力損失
Littelfuse QVx35xHx高温オルタニスタトライアック
04/24/2026
04/24/2026
定格電流35Aに対応し、TO-220AB、絶縁型TO-220、およびTO-263パッケージで提供されています。
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
04/24/2026
04/24/2026
Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04/16/2026
04/16/2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
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