最新の個別半導体 – Mouser 日本

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個別半導体のタイプ

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Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers

08/11/2025

- These devices have a low power loss and are highly efficient.

Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers

08/05/2025

- 20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers

08/05/2025

- 30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers

08/05/2025

- 10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.

Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode

07/22/2025

- AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.

Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers

07/10/2025

- High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.

Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors

07/10/2025

- 300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes

03/20/2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes

03/20/2025

- Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.

Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes

03/20/2025

- Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes

03/20/2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes

03/20/2025

- Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes

03/20/2025

- Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.

Taiwan Semiconductor TLDxxAH過渡電圧サプレッサ（TVS）ダイオード

03/17/2025

- 26V～82V、AEC-Q101認定、一方向性表面実装TVSダイオードです。

Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers

01/30/2025

- Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.

Taiwan Semiconductor PSAD Super Fast Surface Mount Rectifiers

01/30/2025

- Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.

Taiwan Semiconductor S1Y/S2Y 1600V Surface Mount Rectifiers

11/28/2024

- 1600V glass passivated chip junction standard rectifiers designed for high-performance applications.

Taiwan Semiconductor HS1Qx 1200V High-Efficiency Rectifiers

11/28/2024

- Surface mount rectifiers that feature 75ns, 1A forward current, low power loss, and high efficiency.

表示: 1～25/58

フィルタリング基準:

Littelfuse CMA160E1600HF シングルサイリスタ

02/06/2026

- 160A、1600Vの高スペックを誇り、PLUS247パッケージにプレーナーパッシベーションチップ構造を採用しています。

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay パワーシリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード

02/03/2026

- 要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード

01/20/2026

- 600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。

Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ

01/20/2026

- 15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。

Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ

01/19/2026

- 7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。

Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合

01/19/2026

- 25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。

Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード

01/13/2026

- 航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。

Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード

01/08/2026

- 超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。

onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET

12/26/2025

- このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET

12/23/2025

- 幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。

Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET

12/19/2025

- 電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。

onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET

12/19/2025

- コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。

STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ

12/04/2025

- 効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

12/04/2025

- 低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長

Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ

12/01/2025

- DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。

onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル低/中電圧 MOSFET

11/25/2025

- PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。

onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET

11/25/2025

- 高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

表示: 1～25/1223

個別半導体のタイプ

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