トランジスタのタイプ
ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
10/17/2025
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、AEC-Q101認定、40V VDSS 、±40A ID定格車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-30V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V Pチャンネル小信号MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
ドレイン－ソース電圧-40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±4,0A (ID) 定格MOSFETです。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
40V VDSS 、および±12A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-60V VDSS 、および±36A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
100V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
60V VDSS 、および±35A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
AEC-Q101認定を取得済で、60V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP, 160V 1.5A, パワートランジスタ
08/06/2025
08/06/2025
このパワートランジスタはVCE(sat) が低く、低周波増幅用途に最適です。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 Pチャネル, -40V -40A, パワーMOSFET
08/06/2025
08/06/2025
このMOSFETは、車載グレードパワーMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN, 160V 1.5A, パワートランジスタ
08/06/2025
08/06/2025
このパワートランジスタはVCE(sat) が低く、低周波増幅用途に最適です。
ROHM Semiconductor RxL120BLFRAパワーMOSFET
07/22/2025
07/22/2025
ADAS、インフォテインメント、車載照明、ボディ電子機器向けの車載グレード・AEC-Q101適合MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA Pチャンネル パワーMOSFET
03/13/2025
03/13/2025
インフォテインメント、照明、ADAS、ボディなどの車載アプリケーション向けにAEC-Q101認定を受けています。
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA Pチャンネル パワーMOSFET
03/13/2025
03/13/2025
インフォテインメント、照明、ADAS、ボディなどの車載アプリケーション向けにAEC-Q101認定を受けています。
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
12/19/2025
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
11/20/2025
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
10/31/2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
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