トランジスタのタイプ
カテゴリービューの変更
適用されたフィルタ:
製造元 = Nexperia 現在の絞り込みを変更するには、製品タブに戻ってください。

Nexperia MLPAK33-WFパッケージのBUK7Q NチャネルMOSFET
Nexperia MLPAK33-WFパッケージのBUK7Q NチャネルMOSFET
09/29/2025
トレンチ型 9技術を採用し、AEC-Q101要件に適合しています。
Nexperia BUK9Q NチャネルトレンチMOSFET
Nexperia BUK9Q NチャネルトレンチMOSFET
09/09/2025
ロジックレベル互換性、高速スイッチング対応の、175°CでAEC-Q101に完全に適合した自動車向け製品です。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル  FET。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル  FET。
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ（BJT）
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ（BJT）
08/26/2025
CFP15Bパッケージは、MJDシリーズに代わるコンパクトで費用対効果の高い製品で、DPAKパッケージに収められています。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ内の30V PチャネルFET。
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。 
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8100V GaN FET
07/03/2025
優れた性能と非常に低いオン抵抗を実現するノーマリーオフのeモードデバイスです。
Nexperia GANB8R0-040CBA双方向GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA双方向GaN FET
04/14/2025
40V、8.0MΩ双方向GaN HEMTは、コンパクトな1.7mm x 1.7mm WLCSPパッケージに格納されています。
Nexperia PXNx Nチャンネル ロジックレベル トレンチMOSFET
Nexperia PXNx Nチャンネル ロジックレベル トレンチMOSFET
04/14/2025
さまざまなアプリケーションでの高効率電源管理用に設計された60Vおよび100V MOSFETです。
Nexperia NX5020x NチャンネルエンハンストモードFET
Nexperia NX5020x NチャンネルエンハンストモードFET
04/01/2025
デバイスには、Trench MOSFET技術を使用した非常に低い閾値電圧および超高速スイッチングがあります。
Nexperia 特定用途向けパワーMOSFET
Nexperia 特定用途向けパワーMOSFET
01/21/2025
実績のあるMOSFETの専門技術とアプリケーションに対する幅広い知識を融合させ、製品ラインナップを拡大しています。
Nexperia ホットスワップ＆ソフトスタート用CCPAK ASFET
Nexperia ホットスワップ＆ソフトスタート用CCPAK ASFET
01/08/2025
単一のデバイスで信頼性の高いリニアモード、強化されたSOA、低RDS(on) を提供します。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A 中電力PNPトランジスタ
Nexperia BC5xPAS-Q 1A 中電力PNPトランジスタ
12/30/2024
超薄型DFN2020D-3（SOT1061D）SMDプラスチックパッケージに収められたAEC-Q101認定PNPトランジスタです。
Nexperia BC869-Q 中出力トランジスタ
Nexperia BC869-Q 中出力トランジスタ
12/11/2024
SOT89 (SC-62) 中電力およびフラット・リード・プラスチック・パッケージ封止のPNP中電力トランジスタ。
Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET
10/01/2024
40V、4.8mΩ 双方向GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) で、WLCSPパッケージに収められています。
Nexperia BUK7J2R4-80M NチャンネルMOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M NチャンネルMOSFET
08/30/2024
Trench 14低オーム分割ゲート技術に基づいており、LFPAK56Eパッケージに格納されています。
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q トランジスタ
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q トランジスタ
07/04/2024
低コレクタ－エミッタ飽和電圧および高コレクタ電流能力を実現しています。
Nexperia GANE3R9-150QBA窒化ガリウム（GaN）FET
Nexperia GANE3R9-150QBA窒化ガリウム（GaN）FET
07/02/2024
汎用150V、3.9mΩ 窒化ガリウム(GaN) FETで、VQFNパッケージに収められています。
Nexperia NSF0x0120 NチャンネルSiC MOSFET
Nexperia NSF0x0120 NチャンネルSiC MOSFET
07/01/2024
優れたRDS(on) の温度安定性。標準的な7ピンTO-263プラスチックパッケージ封止。
Nexperia PSMNxRx-80YSFNextPowerNチャンネルMOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSFNextPowerNチャンネルMOSFET
06/24/2024
80V、標準レベルのゲートドライブMOSFETで、より高い効率性とより低いスパイクのための低Qrr が備わっています。
Nexperia NSF0x120L4A0 NチャンネルMOSFET
Nexperia NSF0x120L4A0 NチャンネルMOSFET
04/23/2024
シリコンカーバイド(SiC)ベースの1,200VパワーMOSFETで、十分に確立された4ピンTO-247プラスチックパッケージに収められています。
Nexperia BSS138AK NチャンネルトレンチMOSFET
Nexperia BSS138AK NチャンネルトレンチMOSFET
04/04/2024
小型SMDパッケージのAEC-Q101認定Nチャンネル拡張モード電界効果トランジスタ（FET）。
表示: 1～25/57

    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    01/19/2026
    25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    12/26/2025
    このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    12/23/2025
    幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    12/19/2025
    コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    12/04/2025
    効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    12/01/2025
    DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    11/25/2025
    PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
    onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
    11/20/2025
    伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
    Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
    Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
    11/20/2025
    These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
    onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    11/20/2025
    ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。
    onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    11/19/2025
    効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFET。
    onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    11/19/2025
    要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された高効率シングルNチャネルパワーMOSFETです。
    onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
    onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
    11/19/2025
    導通損失とスイッチング損失が低い高輝度性能指数が備わっています。
    STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
    STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
    11/07/2025
    GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
    Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
    Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
    10/31/2025
    低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    10/31/2025
    The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
    Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
    Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
    10/31/2025
    The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
    10/31/2025
    2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
    表示: 1～25/649