個別半導体のタイプ
カテゴリービューの変更
適用されたフィルタ:
製造元 = IXYS 現在の絞り込みを変更するには、製品タブに戻ってください。

IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
01/20/2026
600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
10/08/2025
セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
09/19/2025
これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
08/27/2025
最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器
IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器
04/14/2025
ガラス不動態化接合部が特徴で、安定した動作と高い信頼性が保証されます。
IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード
IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード
04/03/2025
高周波動作および高サージ電流対応を特長としています。
IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール
IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール
03/25/2025
平面不動態化チップと統合された140Aダイオードモジュールで、長期安定性が備わっています。
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 30mΩ 、79A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、69mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11/28/2024
電圧定格200V、電流範囲340A ~ 500A、SOT-227Bパッケージに収められています。
IXYS DPF100C1200HB 1,200V、2x 50A高速リカバリダイオード
IXYS DPF100C1200HB 1,200V、2x 50A高速リカバリダイオード
11/22/2024
2つの汎用パワースイッチングダイオードで、コモンカソード構成になっており、TO-247パッケージに収められています。
IXYS 第5世代XPT IGBT
IXYS 第5世代XPT IGBT
07/25/2024
650Vの定格電圧、35A～220Aの電流範囲、低ゲート電荷が備わっています。 
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3相ブリッジ整流器
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3相ブリッジ整流器
07/22/2024
このデバイスは、一般的にスイッチモード電源(SMPS) での整流器として使用されます。
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A高速リカバリダイオード
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A高速リカバリダイオード
07/08/2024
高性能、低損失、ソフトリカバリシングルダイオードで、TO-268AA（D3PAK-HV）パッケージに収められています。
IXYS SRU6008DS2RP高感度SCR
IXYS SRU6008DS2RP高感度SCR
02/19/2024
600V高順方向阻止SCRで、高電圧コンデンサ放電アプリケーションに最適です。
IXYS MPA 95-06DA FREDモジュール
IXYS MPA 95-06DA FREDモジュール
01/18/2024
平面不動態化チップと低スイッチング損失が特徴で、高周波スイッチングデバイスを対象としています。
IXYS MCMA140P1600TA-NIサイリスタモジュール
IXYS MCMA140P1600TA-NIサイリスタモジュール
01/18/2024
平面不動態化チップおよびライン周波数用の直接銅結合AI2O3セラミックが特徴です。
IXYS DMA80I1600HAシングルダイオード整流器
IXYS DMA80I1600HAシングルダイオード整流器
08/11/2022
平面不動態化チップ、低リーク電流、および低順電圧降下が特徴です。
IXYS STP802U2SRP 1.5A高感度デュアルSCR
IXYS STP802U2SRP 1.5A高感度デュアルSCR
08/10/2022
低ターンオフ（tq）時間と1.5ARMS on状態電流が備わっている高静的dv/dtです。
表示: 1～25/27

    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    02/05/2026
    High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    02/03/2026
    要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    01/20/2026
    600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    01/19/2026
    25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    01/13/2026
    航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    01/08/2026
    超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    12/26/2025
    このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    12/23/2025
    幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    12/19/2025
    コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    12/04/2025
    効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    12/01/2025
    DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    11/25/2025
    PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    11/24/2025
    サージおよびESD保護用に設計されており、小型チップパッケージのDO-214AB(SMC)のサイズとなっています。
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    表示: 1～25/1223