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onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
08/08/2025
優れた効率性、高速スイッチング、堅牢な熱性能を発揮します。
onsemi NVBG050N170M1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi NVBG050N170M1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
05/22/2025
最大76mΩ @ 20V最高RDS (ON) 、1700Vドレイン-ソース間電圧が特徴です。
onsemi NTBL032N065M3S炭化ケイ素（SIC）MOSFET
onsemi NTBL032N065M3S炭化ケイ素（SIC）MOSFET
02/20/2025
高速スイッチングアプリケーション用に設計され、信頼性の高い性能を提供します。
onsemi NVH4L050N170M1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
onsemi NVH4L050N170M1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
02/20/2025
VGS = 20Vで標準RDS（on）が53mΩ の優れた性能を発揮します。
onsemi NTH4L018N075SC1 NチャンネルSiC MOSFET
onsemi NTH4L018N075SC1 NチャンネルSiC MOSFET
08/14/2024
低オン抵抗、750V M2 EliteSiC MOSFETがコンパクトなTO247-4Lパッケージで提供しています。
onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET
onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET
08/14/2024
プレーナ（ストライプ）技術を用いたM3Sシリーズ、高速スイッチングアプリケーション向け。D2PAK-7Lパッケージで供給。
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
08/06/2024
650V阻止電圧定格、153pF出力容量が備わっており、TO-247-4Lパッケージに収められています。
onsemi 650V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET
onsemi 650V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET
05/29/2024
シリコンと比較して優れたスイッチング性能とより高い信頼性を実現するテクノロジーを採用しています。
onsemi ヒートポンプ
onsemi ヒートポンプ
03/01/2024
ヒートポンプは、安全で持続可能な暖房へのグローバルシフトを実現する礎です。
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET
02/28/2024
650V、60mΩ (標準）、47AシングルNチャンネルMOSFETは、コンパクトで効率的な設計で構築されています。
onsemi NVHL015N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi NVHL015N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
02/28/2024
高効率、高速動作周波数、電力密度の増大が特徴です。 
onsemi NVHL025N065SC1シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
onsemi NVHL025N065SC1シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
02/23/2024
優れたスイッチング性能を実現しているEliteSiC 25mΩ 、650V MOSFETです。
onsemi NVHL045N065SC1シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
onsemi NVHL045N065SC1シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
02/21/2024
EliteSiCテクノロジーが特徴で、優れたスイッチング性能を発揮します。
onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC車載用SiC MOSFET
onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC車載用SiC MOSFET
01/30/2024
高速スイッチングアプリケーション向けに最適化された1200V M3S平面SiC MOSFETです。
onsemi UF4SC120023B7S G4 炭化ケイ素（SIC）FET
onsemi UF4SC120023B7S G4 炭化ケイ素（SIC）FET
01/09/2024
1200V、23mΩ のG4 SIC FETは、独自の「カスコード」回路構成基準
onsemi NVHL075N065SC1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
onsemi NVHL075N065SC1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
11/13/2023
比類のない特性が備わった高性能デバイスです。
onsemi NVH4L095N065SC1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
onsemi NVH4L095N065SC1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
11/13/2023
スイッチング性能と信頼性を向上させる先進技術を採用しています。
onsemi NVBG070N120M3Sシリコンカーバイド(SiC) MOSFET
onsemi NVBG070N120M3Sシリコンカーバイド(SiC) MOSFET
09/19/2023
高速スイッチングアプリケーション用に設計されている1200V M3SプレーナEliteSiC MOSFETです。
onsemi EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ
onsemi EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ
05/09/2023
ゲートドライバと EliteSiC MOSFETの完全なポートフォリオは、組み合わせることで熱性能を向上させます。
onsemi EliteSiC
onsemi EliteSiC
03/15/2023
ソーラーインバータや電気自動車充電器のような要求の厳しいアプリケーションのニーズに対処できます。
onsemi NVBG025N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi NVBG025N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
03/10/2023
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
onsemi NTHL075N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi NTHL075N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
03/10/2023
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性があります。
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
02/06/2023
エネルギーおよび工業駆動アプリケーションを対象に、信頼性が高く効率性の高い性能を実現しています。
onsemi NVH4L015N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi NVH4L015N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
01/11/2023
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
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    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
    Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
    Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
    11/20/2025
    These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
    ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
    ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
    10/17/2025
    デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
    Infineon Technologies CoolSiC™1400VSiC G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™1400VSiC G2 MOSFET
    10/09/2025
    熱性能の改善、電力密度の向上、さらに高い信頼性を実現。
    Microchip Technology 1200V SIC MOSFET
    Microchip Technology 1200V SIC MOSFET
    09/25/2025
    MOSFETは、さらに高速なスイッチングを実現する、より高効率で軽量、コンパクトなソリューション。
    IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
    IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
    09/19/2025
    これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。
    IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
    IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
    08/27/2025
    最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
    ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
    ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
    08/21/2025
    ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
    onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
    onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
    08/08/2025
    優れた効率性、高速スイッチング、堅牢な熱性能を発揮します。
    ROHM Semiconductor SCT40xKWA Nch SiCパワーMOSFET
    ROHM Semiconductor SCT40xKWA Nch SiCパワーMOSFET
    07/14/2025
    VDS 1200V、低オン抵抗、高速スイッチングスピード、高速リカバリーが特長。
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200V SiCパワーMOSFET
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200V SiCパワーMOSFET
    06/23/2025
    要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能デバイスです。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET
    06/03/2025
    車載用・産業用認定済みのMOSFET。最大ドレイン・ソース間オン抵抗78mΩ。
    onsemi NVBG050N170M1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
    onsemi NVBG050N170M1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
    05/22/2025
    最大76mΩ @ 20V最高RDS (ON) 、1700Vドレイン-ソース間電圧が特徴です。
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    05/06/2025
    Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
    Wolfspeed 1,700VシリコンカーバイドMOSFET
    Wolfspeed 1,700VシリコンカーバイドMOSFET
    04/17/2025
    次世代の電力変換に対応する、より高いスイッチング、システム効率、電力密度を実現します。
    IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
    IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
    03/06/2025
    1,200V、 30mΩ 、79A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
    IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
    IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
    03/06/2025
    1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
    onsemi NVH4L050N170M1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
    onsemi NVH4L050N170M1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
    02/20/2025
    VGS = 20Vで標準RDS（on）が53mΩ の優れた性能を発揮します。
    onsemi NTBL032N065M3S炭化ケイ素（SIC）MOSFET
    onsemi NTBL032N065M3S炭化ケイ素（SIC）MOSFET
    02/20/2025
    高速スイッチングアプリケーション用に設計され、信頼性の高い性能を提供します。
    Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
    Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
    02/18/2025
    Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
    IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
    02/18/2025
    工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。
    IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
    02/18/2025
    工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。
    SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFET ディスクリートデバイス
    SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFET ディスクリートデバイス
    01/02/2025
    Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
    Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    09/06/2024
    Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
    表示: 1～25/98