個別半導体のタイプ

カテゴリービューの変更

Nexperia MLPAK33-WFパッケージのBUK7Q NチャネルMOSFET
Nexperia MLPAK33-WFパッケージのBUK7Q NチャネルMOSFET
09/29/2025
トレンチ型 9技術を採用し、AEC-Q101要件に適合しています。
Nexperia BUK9Q NチャネルトレンチMOSFET
Nexperia BUK9Q NチャネルトレンチMOSFET
09/09/2025
ロジックレベル互換性、高速スイッチング対応の、175°CでAEC-Q101に完全に適合した自動車向け製品です。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル  FET。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル  FET。
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)
08/26/2025
CFP15Bパッケージは、MJDシリーズに代わるコンパクトで費用対効果の高い製品で、DPAKパッケージに収められています。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33(SOT8002-3)SMDプラスチック・パッケージ内の30V PチャネルFET。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33(SOT8002-3)SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33(SOT8002-3)SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。 
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8100V GaN FET
07/03/2025
優れた性能と非常に低いオン抵抗を実現するノーマリーオフのeモードデバイスです。
Nexperia PSC20120x シリコン・カーバイド(SiC)ショットキー・ダイオード
Nexperia PSC20120x シリコン・カーバイド(SiC)ショットキー・ダイオード
06/02/2025
高効率な電力変換を実現する高性能、超低損失アプリケーションに最適。
Nexperia ES3D超高速リカバリ整流器
Nexperia ES3D超高速リカバリ整流器
05/07/2025
200V、3Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1003-1 SMCパッケージに封入されています。
Nexperia ES1D超高速リカバリ整流器
Nexperia ES1D超高速リカバリ整流器
05/07/2025
高い順方向サージ耐性を備えた200V、1A 整流器で、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia ES2D超高速リカバリ整流器
Nexperia ES2D超高速リカバリ整流器
05/07/2025
高い順方向サージ耐性を備えた200V、2Aの整流器で、SOD1002-1 SMBパッケージに封入されています。
Nexperia ES1J超高速リカバリ整流器
Nexperia ES1J超高速リカバリ整流器
05/02/2025
600V、1Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia ES1B超高速リカバリ整流器
Nexperia ES1B超高速リカバリ整流器
05/02/2025
これは、100V、1Aの整流器で、高順方向サージ耐性を備え、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia GS5MBリカバリ整流器
Nexperia GS5MBリカバリ整流器
04/28/2025
1000V、5Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1002-1 SMBパッケージに封入されています。
Nexperia MURS160B超高速リカバリ整流器
Nexperia MURS160B超高速リカバリ整流器
04/28/2025
600V、1A対応の整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1002-1(SMB)パッケージにカプセル化されています。
Nexperia US3M超高速リカバリ整流器
Nexperia US3M超高速リカバリ整流器
04/28/2025
高順方向サージ能力が備わっている1,000V、3A整流器で、SOD1003-1 SMCパッケージにカプセル化されています。
Nexperia US1J超高速リカバリ整流器
Nexperia US1J超高速リカバリ整流器
04/28/2025
600V、1Aの整流器で、高順方向サージ能力を備えており、SOD1001-1 SMAパッケージにパッケージ化されています。
Nexperia GS10Mリカバリ整流器
Nexperia GS10Mリカバリ整流器
04/28/2025
GS10Mは、1000V、10Aの整流器で、高順方向サージ能力を備えており、SOD1003-1 SMCパッケージに封入されています。
Nexperia MURS160A超高速リカバリ整流器
Nexperia MURS160A超高速リカバリ整流器
04/28/2025
600V、1Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia GS8Mリカバリ整流器
Nexperia GS8Mリカバリ整流器
04/28/2025
1000V・8Aの整流器で、高順方向サージ耐量を備え、SOD1003-1(SMC)パッケージに封入されています。
Nexperia FR2M高速リカバリ整流器
Nexperia FR2M高速リカバリ整流器
04/28/2025
高順方向サージ能力が備わっている1,000V、2A整流器で、SOD1002-1 SMBパッケージに封入されています。
Nexperia US1M超高速リカバリ整流器
Nexperia US1M超高速リカバリ整流器
04/28/2025
1000V、1Aに対応し、高順方向サージ能力を備えた整流器で、SOD1001-1(SMA)パッケージにカプセル化されています。
表示: 1~25/104

    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
    04/14/2026
    Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
    ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
    ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
    04/10/2026
    TRCDRIVE パック™、DOT-247、HSDIP20パッケージは高性能な電力変換に貢献します。
    Vishay RS07x高速リカバリ整流器
    Vishay RS07x高速リカバリ整流器
    04/07/2026
    ガラスパッシベーション加工が施された表面実装型整流器で、最大VRRMは100V~800Vです。
    Vishay S07x-M 標準回復高電圧整流器
    Vishay S07x-M 標準回復高電圧整流器
    04/07/2026
    ガラスパッシベーション加工が施された表面実装型整流器で、最大VRRMは100V~1000Vです。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    高速スイッチングアプリケーション向けの低Rg設計のデュアルNチャンネルMOSFETです。
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04/02/2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04/02/2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
    04/02/2026
    このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
    Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
    Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
    03/31/2026
    高速スイッチング、電源管理スイッチ、DC-DCコンバータ、およびモータドライバに最適です。   
    STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
    03/31/2026
    Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
    Infineon Technologies ESD保護用多目的ダイオード
    Infineon Technologies ESD保護用多目的ダイオード
    03/27/2026
    小型フットプリントで最高の保護を提供し、このダイオードは優れたESD性能を発揮します。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
    03/27/2026
    堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。 
    Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
    Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
    03/27/2026
    アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
    03/24/2026
    Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03/24/2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
    Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
    03/20/2026
    650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
    Vishay XFD11K XClampR® 過渡電圧サプレッサ
    Vishay XFD11K XClampR® 過渡電圧サプレッサ
    03/18/2026
    高温環境での安定性と高い信頼性を備えた、表面実装型の双方向デバイスです。
    Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
    Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
    03/18/2026
    TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
    03/17/2026
    Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗[RDS(ON)]を備えています。
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
    03/17/2026
    定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
    Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
    Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
    03/17/2026
    これらのデバイスは、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
    onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
    onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
    03/13/2026
    コンパクトで効率的なデザインを目的として設計され、高い熱性能を備える。
    Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60Aハイパーファストプラナ整流器
    Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60Aハイパーファストプラナ整流器
    03/13/2026
    逆電圧650 V、順方向電圧降下が小さい、超高速逆回復時間が特長です。
    表示: 1~25/1231